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產(chǎn)品分類
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工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi 2N7000TA MOSFET

訂 貨 號：2N7000TA      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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onsemi 2N7000TA MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

高級功率 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

雪崩耐受技術(shù)
耐用柵極氧化物技術(shù)
低輸入電容
改進(jìn)了柵極電荷

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 200 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-92
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 5 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.3V
最大功率耗散 400 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 5.2mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.19mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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