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onsemi FQP7P06 MOSFET

訂 貨 號(hào)：FQP7P06      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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onsemi FQP7P06 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

QFET? P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專(zhuān)利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。
它們通過(guò)降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少通態(tài)損耗，并通過(guò)降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來(lái)減少切換損耗。 通過(guò)使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類(lèi)型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 P
最大連續(xù)漏極電流 7 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類(lèi)型 TO-220AB
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 410 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 45000 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
寬度 4.7mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +175 °C
長(zhǎng)度 10.1mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 6.3 nC @ 10 V
暫無(wú)

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