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Infineon IRFU120NPBF MOSFET

訂 貨 號：IRFU120NPBF      品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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Infineon IRFU120NPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi)，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRFU120N 是 100V 單 N 通道功率 MOSFET ，采用 I-Pak 封裝。IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用久經(jīng)考驗的硅工藝，提供廣泛的器件產(chǎn)品組合，支持各種應(yīng)用，如直流電動機，變頻器， SMPS ，照明，負載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用。

表面安裝
直向引線
快速切換
無導線

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 9.4 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 IPAK (TO-251)
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 210 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 48 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長度 6.6mm
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 2.3mm
暫無

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