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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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IXYS IXFN82N60Q3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IXFN82N60Q3      品牌：艾賽思_IXYS

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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IXYS IXFN82N60Q3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用，可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個(gè)快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括隔離類型，帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流－直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

快速本質(zhì)整流器二極管
低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
低本質(zhì)柵極電阻
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
低封裝電感
高功率密度

MOSFET 晶體管，IXYS

IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 66 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 SOT-227B
安裝類型 螺絲安裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 75 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 6.5V
最大功率耗散 960 W
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長(zhǎng)度 38.23mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 25.07mm
典型柵極電荷@Vgs 275 nC @ 10 V
暫無(wú)

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