Toshiba TK090Z65Z,S1F(O MOSFET
產品詳細信息
Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切換特性和較低的電容。它主要用于開關電源。
低漏 - 源導通電阻 0.075 ?
存儲溫度 -55 至 150°c
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
30 A |
| 最大漏源電壓 |
650 V |
| 封裝類型 |
｛ f1 to ｛ f1 -247 ｝ ｛ f1 4L （ t ｝ |
| 引腳數目 |
4 |
| 最大漏源電阻值 |
0.09. Ω |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
4V |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
| 晶體管材料 |
硅 |
