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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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威世硅尼克斯 SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SIZF916DT-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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威世硅尼克斯 SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

特點(diǎn)
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
SkyFET? 低側(cè) MOSFET，集成了
肖特基
應(yīng)用
CPU 內(nèi)核功率
計(jì)算機(jī)/服務(wù)器外圍設(shè)備
POL
同步降壓轉(zhuǎn)換器
電信直流/直流


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 40（通道 1）A、60（通道 2）A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPAIR 6 x 5
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 6 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.1V
最小柵閾值電壓 2.4V
最大功率耗散 26.6 w 、 60 w
最大柵源電壓 +16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v
寬度 6mm
每片芯片元件數(shù)目 2
典型柵極電荷@Vgs 14.6（通道 1）nC @ 10 V、62（通道 2）nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 5mm
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...