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Infineon IRF9410TRPBF MOSFET

訂 貨 號：IRF9410TRPBF      品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Infineon IRF9410TRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi)，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

International Rectifier 的第五代 HEXFETS 利用最新工藝技術(shù)實現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。此優(yōu)勢結(jié)合 HEXFET 功率 MOSFET 著名的快速切換速度和耐震器件設(shè)計，為設(shè)計人員提供極其高效和可靠的器件，適用于廣泛的應用。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框增強熱特性和多模能力，特別適合各種電源應用。憑借這些改進，用戶可以在應用中使用多個設(shè)備，顯著減少板空間。該封裝設(shè)計用于汽相、紅外線或波峰焊接技術(shù)。

低 RDS（接通）
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
動態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 7 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 50 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4mm
長度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 18 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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