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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IMZA65R027M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號：IMZA65R027M1HXKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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Infineon IMZA65R027M1HXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟(jì)高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能，可靠性和易用性的獨(dú)特組合。它適用于高溫和惡劣操作，可實(shí)現(xiàn)最高效的簡化和經(jīng)濟(jì)部署。MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可減少對柵極電路的寄生源電感效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)更快的切換和更高的效率。

低電容
優(yōu)化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強(qiáng)的耐雪崩能力
可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動程序一起使用


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 59 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-TO247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 0.034 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5.7V
晶體管材料 硅
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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