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產(chǎn)品分類
分類：
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Nexperia PMXB65UPEZ MOSFET

訂 貨 號(hào)：PMXB65UPEZ      品牌：

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Nexperia PMXB65UPEZ MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

當(dāng) N 通道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí)，P 通道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì)，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 通道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

12 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無(wú)引線超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
無(wú)引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導(dǎo)
靜電放電 (ESD) 保護(hù) 1.5 kV HBM
漏-源通態(tài)電阻 RDSon = 59 m?
非常低的柵-源閾值電壓 VGS(th) = -0.68 V，適合便攜式應(yīng)用


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 -3.2 A
最大漏源電壓 -12 V
封裝類型 DFN1010D-3，SOT1215
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 880 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -1V
最小柵閾值電壓 -0.4V
最大功率耗散 8330 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 8 V
寬度 1.05mm
典型柵極電荷@Vgs 6.7 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 1.15mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 3
暫無(wú)

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