Infineon 通孔安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時代的產品，柵極源電壓為 10V 時漏 - 源電阻為 190mohm。MOSFET 具有 20.7A 的連續漏極電流。它的最大柵極源電壓為 20V ，漏極源電壓為 600V。它的最大功耗為 71W。 MOSFET 的驅動電壓為 10V。它經過優化，可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。
? 易于使用
?經過現場驗證的 CoolMOS 質量
?高效率和功率密度
? 高可靠性
?低柵極電荷 (Qg)
?低特定通態電阻
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?卓越的的性能成本
?輸出電容 (Eoss) 在 400V 時具有極低能量存儲
?適配器
? PC 電源
?服務器電源
? 電信
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? JEDEC
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20.7 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-220FP |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 34.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 30 V |
| 寬度 | 4.85mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 87 nC @ 10 V |
| 長度 | 10.65mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
