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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IPB083N15N5LFATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon ? 線性場(chǎng)效應(yīng)管是一種革命性的方法、可避免通態(tài)電阻（ r ds （ on ））與線性模式功能之間的取舍、即在增強(qiáng)型模式 mosfet 的飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。它提供最先進(jìn)的溝道 mosfet r ds （ on ）以及經(jīng)典平面 mosfet 的寬安全工作區(qū)域。

低 r ds （ on ）和寬安全工作區(qū)域的組合 （ soa ）
高最大脈沖電流
高連續(xù)脈沖電流
堅(jiān)固的線性模式操作
低傳導(dǎo)損耗
更高的浪涌電流可實(shí)現(xiàn)更快的啟動(dòng)和更短的啟動(dòng) 時(shí)間


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 105 A
最大漏源電壓 150 V
封裝類型 Pg- TO263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.0083 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.9V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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