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產(chǎn)品分類

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Nexperia PMV28UNEAR MOSFET

訂 貨 號:PMV28UNEAR      品牌:PMV

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Nexperia PMV28UNEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車級 MOSFET,世界上最大的符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,對汽車系統(tǒng)要求和專注技術(shù)能力的深入了解,使 Nexperia 能夠在廣泛的應(yīng)用中提供功率半導(dǎo)體解決方案。從驅(qū)動簡單的車燈到發(fā)動機(jī)、車身或底盤應(yīng)用中功率控制的復(fù)雜需求,Nexperia 功率半導(dǎo)體可以解決許多汽車系統(tǒng)的功率問題。

符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
重復(fù)性耐雪崩等級
由于額定溫度為 175°C,適用于對熱量要求苛刻的環(huán)境

20 V,N 通道 Trench MOSFET,N 通道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.7 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT23,TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 70 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 0.45V
最大功率耗散 3.9 W
晶體管配置
最大柵源電壓 8 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 3mm
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 6.2 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 3
暫無

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