ON semiconductor 的新系列場截止第 4 代 IGBT 采用創新的場截止 IGBT 技術，為低傳導和切換損耗至關重要的太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS 和 PFC 應用提供最佳性能。
最大接點溫度：TJ = 175 °C
正溫度系數易于并行操作
高電流容量
低飽和電壓：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 60 A
高輸入阻抗
快速切換
嚴格的參數分布
應用
太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS、PFC
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 60 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±30V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 333 W |
| 封裝類型 | TO-247 G03 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | P |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
