DGTD65T50S1PT 系使用高級場截止溝道 IGBT 技術生產，可提供極佳的質量和高切換性能。
高速切換和低功率損耗
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 50A
高輸入阻抗
trr = 80ns (typ) @ diF/dt = 1000A/μs
Eoff = 0.55mJ @ TC=25°C
最大接點溫度 175°C
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
UPS
電焊機
光伏逆變器
IH 炊具
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 100 A，200（脈沖）A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
