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產(chǎn)品分類
分類：

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Toshiba TJ8S06M3L MOSFET

訂 貨 號(hào)：TJ8S06M3L      品牌：東芝_Toshiba

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
店鋪主頁(yè)

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Toshiba TJ8S06M3L MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

應(yīng)用
汽車
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
特點(diǎn)
低漏-源通態(tài)電阻：RDS（接通）= 80 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)
低泄漏電流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -60V)
增強(qiáng)模式：Vth = -2.0 至 -3.0 V（VDS = -10 V，ID = -1 mA）


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 130 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 27 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+10 V
典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.5mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 7mm
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...