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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：

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Nexperia PMV20XNER MOSFET

訂 貨 號(hào)：PMV20XNER      品牌：PMV

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話(huà)：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
店鋪主頁(yè)

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Nexperia PMV20XNER MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

在異步和同步系統(tǒng)之間提供堅(jiān)固的接口連接。觸發(fā)器是數(shù)碼電子設(shè)備的基本存儲(chǔ)元件。觸發(fā)器只允許輸出在觸發(fā)邊沿轉(zhuǎn)換時(shí)變化，可在異步和同步系統(tǒng)之間提供堅(jiān)固的接口。有正負(fù)沿觸發(fā)選項(xiàng)可供選擇，設(shè)計(jì)靈活性增強(qiáng)。

N 通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，使用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
低閾值電壓
增強(qiáng)型功耗能力為 1200 mW
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：2 kV HBM
目標(biāo)應(yīng)用
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 7.2 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類(lèi)型 TO-236AB
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 38 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 0.9V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 6.94 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 12 V
典型柵極電荷@Vgs 12.4 nC @ 4.5 V
長(zhǎng)度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...