當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





Infineon mos ?設(shè)計是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術(shù),它是根據(jù)超級連接( sj )原理設(shè)計的,由 Infineon 技術(shù)公司率先開發(fā)的。最新的 cool mos ? P7 是一款經(jīng)過優(yōu)化的平臺,專為消費市場中的成本敏感型應用而定制,如充電器、適配器、照明、電視等
由于 fom rds (接通) *qg 和 rds (接通) *eoss 極低的損耗
產(chǎn)品驗證符合dec 標準
低切換損耗( eoss )
集成 esd 保護二極管
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | Pg 到 220 fullpak |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.9. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |