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　　IGBT的開通和關斷是由柵極電壓來控制的。

　　當柵極施以正電壓時，MOSFET內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通。此時從N+區注入到N-區的空穴(少子)對N-區進行電導調制，減?、魠^的電阻Rdr ，使阻斷電壓高的IGBT也具有低的通態壓降。當柵極上施以負電壓時。MOSFET內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即被關斷。

　　在IGBT導通之后。若將柵極電壓突然降至零，則溝道消失，通過溝道的電子電流為零，使集電極電流有所下降，但由于N-區中注入了大量的電子和空穴對，因而集電極電流不會馬上為零，而出現一個拖尾時間。